锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
PD54003L-E

PD54003L-E

数据手册.pdf

N沟道 增强模式 横向场效应 射频 功率晶体管

Amplifying and switching electronic signals in radio frequency environments is easy with this RF amplifier from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 19500 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. Its maximum frequency is 1000 MHz. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

PD54003L-E中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

额定电压DC 7.00 V

额定电流 4 A

耗散功率 19500 mW

输出功率 3 W

增益 20 dB

测试电流 50 mA

输入电容Ciss 54pF @7.5VVds

输出功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 19500 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 5X5-8

外形尺寸

封装 5X5-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PD54003L-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PD54003L-E
型号 制造商 描述 购买
PD54003L-E ST Microelectronics 意法半导体 N沟道 增强模式 横向场效应 射频 功率晶体管 搜索库存
替代型号PD54003L-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PD54003L-E

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： PowerFLAT 7V 4A 19500mW

当前型号

N沟道 增强模式 横向场效应 射频 功率晶体管

当前型号

型号： PD54003-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10RF N-Channel 25V 4A 52800mW

功能相似

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD54003L-E和PD54003-E的区别

型号： PD54003S-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10RF 52800mW

功能相似

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD54003L-E和PD54003S-E的区别

型号： PD54003L

品牌： 意法半导体

封装： N-Channel 4A

功能相似

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST PLASTIC FAMILY

PD54003L-E和PD54003L的区别