PN3563
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Central Semiconductor
分立器件
PN3563中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 14dB ~ 26dB
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
PN3563引脚图与封装图
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在线购买PN3563
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PN3563 | Central Semiconductor | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 1Element, Silicon, NPN, TO-92 | 搜索库存 |
替代型号PN3563
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PN3563 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-226-3 | 当前型号 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 1Element, Silicon, NPN, TO-92 | 当前型号 |
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