
频率 300 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PMBT5551,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB NPN 160V 0.3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PMBT5551,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236-3 NPN 250mW | 当前型号 | TO-236AB NPN 160V 0.3A | 当前型号 | |
型号: PMBT5551,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 NPN 250mW | 类似代替 | NXP PMBT5551,215 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 30 hFE | PMBT5551,235和PMBT5551,215的区别 | |
型号: BSR19A,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 NPN 0.25W | 类似代替 | NXP BSR19A,215 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 80 hFE | PMBT5551,235和BSR19A,215的区别 | |
型号: PMBT5550,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 NPN 0.25W | 类似代替 | NXP PMBT5550,215 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE | PMBT5551,235和PMBT5550,215的区别 |