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PMBT5551,235

PMBT5551,235

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PMBT5551,235中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMBT5551,235引脚图与封装图
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在线购买PMBT5551,235
型号 制造商 描述 购买
PMBT5551,235 NXP 恩智浦 TO-236AB NPN 160V 0.3A 搜索库存
替代型号PMBT5551,235
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMBT5551,235

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 250mW

当前型号

TO-236AB NPN 160V 0.3A

当前型号

型号: PMBT5551,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

类似代替

NXP  PMBT5551,215  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 30 hFE

PMBT5551,235和PMBT5551,215的区别

型号: BSR19A,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 0.25W

类似代替

NXP  BSR19A,215  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 80 hFE

PMBT5551,235和BSR19A,215的区别

型号: PMBT5550,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 0.25W

类似代替

NXP  PMBT5550,215  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE

PMBT5551,235和PMBT5550,215的区别