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PDTC114YE,135

PDTC114YE,135

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SC-75 NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R


PDTC114YE,135中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC114YE,135引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PDTC114YE,135 NXP 恩智浦 SC-75 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTC114YE,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC114YE,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT416 NPN

当前型号

SC-75 NPN 50V 100mA

当前型号

型号: PDTC114YE,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-416 NPN 150mW

类似代替

NXP  PDTC114YE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

PDTC114YE,135和PDTC114YE,115的区别

型号: DTC114EET1G

品牌: 安森美

封装: SOT-416 NPN 50V 70mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  DTC114EET1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

PDTC114YE,135和DTC114EET1G的区别

型号: DTC114YET1G

品牌: 安森美

封装: SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW

功能相似

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

PDTC114YE,135和DTC114YET1G的区别