
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
封装 SOT-416
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTC114YE,135 | NXP 恩智浦 | SC-75 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTC114YE,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT416 NPN | 当前型号 | SC-75 NPN 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: PDTC114YE,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-416 NPN 150mW | 类似代替 | NXP PDTC114YE,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE | PDTC114YE,135和PDTC114YE,115的区别 | |
型号: DTC114EET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-416 NPN 50V 70mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | PDTC114YE,135和DTC114EET1G的区别 | |
型号: DTC114YET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTC114YE,135和DTC114YET1G的区别 |