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PDTA114EEAF

PDTA114EEAF

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SC-75 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


PDTA114EEAF中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA114EEAF引脚图与封装图
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