PDTA115TE,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTA115TE,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
封装 SC-75-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
PDTA115TE,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA115TE,115 | NXP 恩智浦 | SC-75 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |