额定电压DC 30.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PN2222TA | Fairchild 飞兆/仙童 | PN2222 Series 30V 600mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PN2222TA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 600mA 625mW | 当前型号 | PN2222 Series 30V 600mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3 | 当前型号 | |
型号: PN2222TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 600mA 625mW | 完全替代 | NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | PN2222TA和PN2222TF的区别 | |
型号: PN2222TFR 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 600mA 0.625W | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3Pin TO-92 T/R | PN2222TA和PN2222TFR的区别 | |
型号: PN2222_J18Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92-3 NPN | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Gen Purp Amp | PN2222TA和PN2222_J18Z的区别 |