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PDTA144TT,215

PDTA144TT,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

TO-236AB PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R


PDTA144TT,215中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA144TT,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PDTA144TT,215 NXP 恩智浦 TO-236AB PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTA144TT,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTA144TT,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 250mW

当前型号

TO-236AB PNP 50V 100mA

当前型号

型号: DDTA144TCA-7

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA

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