PMST2222,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMST2222,115中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35 @0.1mA, 10V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMST2222,115引脚图与封装图
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在线购买PMST2222,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMST2222,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 30V 0.6A | 搜索库存 |
替代型号PMST2222,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMST2222,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT323 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 30V 0.6A | 当前型号 |
| 型号： MMBT4400 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 功能相似 | NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | PMST2222,115和MMBT4400的区别 |
| 型号： KST4401 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | PMST2222,115和KST4401的区别 |