PDTA114ET,235
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PDTA114ET,235中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA114ET,235引脚图与封装图
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在线购买PDTA114ET,235
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA114ET,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTA114ET,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA114ET,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP 200mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTA114ET,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 0.2W | 类似代替 | NXP PDTA114ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE | PDTA114ET,235和PDTA114ET,215的区别 |