PDTA124EU,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA124EU,135中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA124EU,135引脚图与封装图
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在线购买PDTA124EU,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA124EU,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTA124EU,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA124EU,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-323 PNP 200mW | 当前型号 | SC-70 PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTA124EU,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 PNP 200mW | 类似代替 | NXP PDTA124EU,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 60 hFE | PDTA124EU,135和PDTA124EU,115的区别 |
| 型号： MUN5112T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | PDTA124EU,135和MUN5112T1G的区别 |