PMSTA06,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMSTA06,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 50 @10mA, 2V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMSTA06,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMSTA06,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMSTA06,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 80V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号PMSTA06,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMSTA06,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-70 NPN 0.2W | 当前型号 | SC-70 NPN 80V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： PMSTA06 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323/SC-70 NPN | 完全替代 | PMSTA06 NPN三极管 80V 500mA/0.5A 100MHz 50 250mV/0.25V SOT-323/SC-70 marking/标记 t1G | PMSTA06,115和PMSTA06的区别 |
| 型号： MMBTA06WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70 NPN 80V 500mA 150mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA06WT1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 150 mW, 500 mA, 100 hFE | PMSTA06,115和MMBTA06WT1G的区别 |