PMBT2369,235
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NXP
恩智浦
分立器件
PMBT2369,235中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMBT2369,235引脚图与封装图
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在线购买PMBT2369,235
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBT2369,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB NPN 15V 0.2A | 搜索库存 |
替代型号PMBT2369,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBT2369,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 当前型号 | TO-236AB NPN 15V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： PMBT2369,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 完全替代 | NXP PMBT2369,215 单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE | PMBT2369,235和PMBT2369,215的区别 |
| 型号： MMBT2369ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE | PMBT2369,235和MMBT2369ALT1G的区别 |