PDTA113ET,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA113ET,215中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @40mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA113ET,215引脚图与封装图
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在线购买PDTA113ET,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA113ET,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTA113ET,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA113ET,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT23 PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTA113ET 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP | 类似代替 | PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦，R 2 = 1千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW | PDTA113ET,215和PDTA113ET的区别 |
| 型号： DDTA113TCA-7 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 50V 100mA | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | PDTA113ET,215和DDTA113TCA-7的区别 |