极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTC114ET,235 | NXP 恩智浦 | PDTC114E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTC114ET,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236 NPN 0.25W | 当前型号 | PDTC114E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 | |
型号: PDTC114ET,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 NPN 250mW | 类似代替 | NXP PDTC114ET,215 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE | PDTC114ET,235和PDTC114ET,215的区别 | |
型号: MMUN2211LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | PDTC114ET,235和MMUN2211LT1G的区别 |