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PDTC114ET,235

PDTC114ET,235

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PDTC114ET,235中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC114ET,235引脚图与封装图
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在线购买PDTC114ET,235
型号 制造商 描述 购买
PDTC114ET,235 NXP 恩智浦 PDTC114E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3 搜索库存
替代型号PDTC114ET,235
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC114ET,235

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236 NPN 0.25W

当前型号

PDTC114E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3

当前型号

型号: PDTC114ET,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

类似代替

NXP  PDTC114ET,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

PDTC114ET,235和PDTC114ET,215的区别

型号: MMUN2211LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

PDTC114ET,235和MMUN2211LT1G的区别