频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMBTA06,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB NPN 80V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMBTA06,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236-3 NPN 250mW | 当前型号 | TO-236AB NPN 80V 0.5A | 当前型号 | |
型号: PMBTA06,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 NPN 0.25W | 类似代替 | NXP PMBTA06,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE | PMBTA06,235和PMBTA06,215的区别 | |
型号: MMBTA06LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | PMBTA06,235和MMBTA06LT1G的区别 | |
型号: SMMBTA06LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | PMBTA06,235和SMMBTA06LT1G的区别 |