PDTA123JK,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTA123JK,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA123JK,115引脚图与封装图
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在线购买PDTA123JK,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA123JK,115 | NXP 恩智浦 | MPAK PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTA123JK,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA123JK,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 当前型号 | MPAK PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTA123JT,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 250mW | 完全替代 | NXP PDTA123JT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE | PDTA123JK,115和PDTA123JT,215的区别 |
| 型号： PDTA123JK 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧， R2 = 47千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM | PDTA123JK,115和PDTA123JK的区别 |