PMD9001D,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMD9001D,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-457
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-457
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MOSFET 驱动器
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMD9001D,115引脚图与封装图
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在线购买PMD9001D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMD9001D,115 | NXP 恩智浦 | NXP ### 数字晶体管，NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号PMD9001D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMD9001D,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 NPN | 当前型号 | NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： PMD9001D 品牌： 恩智浦 封装： TSOP NPN 290mW | 功能相似 | MOSFET驱动器 MOSFET driver | PMD9001D,115和PMD9001D的区别 |