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PBHV9050T
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBHV9050T  单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 300 mW, -150 mA, 160 hFE

The is a 150mA PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
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NPN complement is PMBTA45
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LL Marking code
PBHV9050T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 500 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

PBHV9050T引脚图与封装图
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在线购买PBHV9050T
型号 制造商 描述 购买
PBHV9050T NXP 恩智浦 NXP  PBHV9050T  单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 300 mW, -150 mA, 160 hFE 搜索库存
替代型号PBHV9050T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBHV9050T

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 PNP

当前型号

NXP  PBHV9050T  单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 300 mW, -150 mA, 160 hFE

当前型号

型号: PBHV9050T,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 PNP 300mW

功能相似

NXP  PBHV9050T,215  单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 300 mW, -150 mA, 160 hFE

PBHV9050T和PBHV9050T,215的区别

型号: FMMT560

品牌: 威世

封装: SOT-23 PNP 500mW

功能相似

DIODES INC.  FMMT560  单晶体管 双极, PNP, 500 V, 60 MHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE

PBHV9050T和FMMT560的区别