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P6SMB11CAT3G

P6SMB11CAT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

Bidirectional
.

PLASTIC SURFACE MOUNT ZENER OVERVOLTAGE TRANSIENT SUPPRESSORS

9.4−78 VOLTS 600 WATT PEAK POWER

The SMB series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener

impedance and fast response time. The SMB series is supplied in ’s  exclusive,  cost-effective,  highly  reliable Surmeticpackage and is ideally suited for use in communication

systems, automotive, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications.

Features

•Working Peak Reverse Voltage Range − 9.4 to 77.8 V

•Standard Zener Breakdown Voltage Range − 11 to 91 V

•Peak Power − 600 W @ 1 ms

•ESD Rating of Class 3 >16 KV per Human Body Model

•Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current

•Low Leakage < 5 A Above 10 V

•UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection

•Response Time is Typically < 1 ns

•Pb−Free Packages are Available

P6SMB11CAT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 11.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 10.5 V

电路数 1

钳位电压 15.6 V

最大反向电压(Vrrm) 9.4V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 11.6 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 10.5 V

击穿电压 10.5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

P6SMB11CAT3G引脚图与封装图
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在线购买P6SMB11CAT3G
型号 制造商 描述 购买
P6SMB11CAT3G ON Semiconductor 安森美 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向) ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号P6SMB11CAT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P6SMB11CAT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB 11V 600W

当前型号

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: P6SMB11CAT3

品牌: 安森美

封装: DO-214AA 11V 600W

完全替代

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

P6SMB11CAT3G和P6SMB11CAT3的区别

型号: P6SMB12CAT3G

品牌: 安森美

封装: 403A 12V 600W

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  P6SMB12CAT3G  二极管, TVS, 600W, 12V, 403A

P6SMB11CAT3G和P6SMB12CAT3G的区别

型号: P6SMB11AT3

品牌: 安森美

封装: DO-214AA

类似代替

600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

P6SMB11CAT3G和P6SMB11AT3的区别