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PBHV9115Z

PBHV9115Z

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NXP 恩智浦 分立器件

PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
.
NPN complement is PBHV8115Z
.
V9115Z Marking code
PBHV9115Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 700 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV9115Z引脚图与封装图
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在线购买PBHV9115Z
型号 制造商 描述 购买
PBHV9115Z NXP 恩智浦 PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号PBHV9115Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PBHV9115Z

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOT-223 PNP

当前型号

PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

当前型号

型号： PBHV9115Z,115

品牌： 安世

封装：

功能相似

NXP PBHV9115Z,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

PBHV9115Z和PBHV9115Z,115的区别