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PBHV9115X
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBHV9115X  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 520 mW, -1 A, 220 hFE

The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a small and flat surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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4G Marking code
PBHV9115X中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 520 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10

直流电流增益hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV9115X引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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