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PBSS4160DPN,115

PBSS4160DPN,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBSS4160DPN,115  双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A

The is a NPN-PNP BISS Transistor encapsulated in surface-mount plastic package. It offers low collector to emitter saturation voltage and high collector current capability. It is designed for use with complementary MOSFET driver, half and full bridge motor drivers and dual low power switches e.g. motors, fans applications.

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High collector current gain at high IC
.
High efficiency due to less heat generation
.
Smaller required printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
PBSS4160DPN,115中文资料参数规格
技术参数

频率 220 MHz

极性 NPN, PNP

耗散功率 420 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A/0.9A

最小电流放大倍数hFE 250

最大电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V

额定功率Max 420 mW

直流电流增益hFE 500

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

宽度 1.7 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBSS4160DPN,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS4160DPN,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS4160DPN,115 NXP 恩智浦 NXP  PBSS4160DPN,115  双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A 搜索库存
替代型号PBSS4160DPN,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4160DPN,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: A NPN 700mW

当前型号

NXP  PBSS4160DPN,115  双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A

当前型号

型号: BZX84-B10,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB

功能相似

NXP  BZX84-B10,215  单管二极管 齐纳, 10 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C

PBSS4160DPN,115和BZX84-B10,215的区别