频率 220 MHz
极性 NPN, PNP
耗散功率 420 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A/0.9A
最小电流放大倍数hFE 250
最大电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V
额定功率Max 420 mW
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
宽度 1.7 mm
封装 SC-74-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS4160DPN,115 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS4160DPN,115 双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS4160DPN,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: A NPN 700mW | 当前型号 | NXP PBSS4160DPN,115 双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A | 当前型号 | |
型号: BZX84-B10,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB | 功能相似 | NXP BZX84-B10,215 单管二极管 齐纳, 10 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C | PBSS4160DPN,115和BZX84-B10,215的区别 |