PBSS5330PA
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NXP
恩智浦
主动器件
PBSS5330PA中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
直流电流增益hFE 320
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-1061
外形尺寸
封装 SOT-1061
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS5330PA引脚图与封装图
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在线购买PBSS5330PA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5330PA | NXP 恩智浦 | 30 V ，3A PNP低VCEsat晶体管晶体管 30 V, 3 A PNP low VCEsat transistor | 搜索库存 |
替代型号PBSS5330PA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5330PA 品牌： NXP 恩智浦 封装： HUSON PNP | 当前型号 | 30 V ，3A PNP低VCEsat晶体管晶体管 30 V, 3 A PNP low VCEsat transistor | 当前型号 |
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| 型号： PBSS5580PA,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT1061 PNP | 功能相似 | HUSON3 PNP 80V 4A | PBSS5330PA和PBSS5580PA,115的区别 |