锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PBHV8115T
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBHV8115T  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a small surface-mount plastic package.

.
High voltage
.
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
.
High collector current capability IC and ICM
.
High collector current gain hFE at high IC
.
AEC-Q101 qualified
.
W6 Marking code
PBHV8115T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV8115T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBHV8115T
型号 制造商 描述 购买
PBHV8115T NXP 恩智浦 NXP  PBHV8115T  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE 搜索库存
替代型号PBHV8115T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBHV8115T

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN

当前型号

NXP  PBHV8115T  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

当前型号

型号: PBHV8115Z,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 NPN 1400mW

功能相似

NXP  PBHV8115Z,115  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE

PBHV8115T和PBHV8115Z,115的区别

型号: PBHV8115T,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB NPN 300mW

功能相似

NXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE

PBHV8115T和PBHV8115T,215的区别

型号: PBHV8118T

品牌: 安世

封装: SOT-23

功能相似

低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

PBHV8115T和PBHV8118T的区别