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PBHV8115X
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBHV8115X  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE

The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. It offers die pad for good heat transfer.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
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%4F Marking code
PBHV8115X中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 1A

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV8115X引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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