PBSS5230T
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5230T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.48 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS5230T引脚图与封装图 
PBSS5230T引脚图
PBSS5230T封装图
PBSS5230T封装焊盘图
在线购买PBSS5230T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5230T | NXP 恩智浦 | PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PBSS5230T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5230T 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 300mW | 当前型号 | PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |