PBSS4120T
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS4120T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 1A
直流电流增益hFE 470
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control, Lighting
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS4120T引脚图与封装图 
PBSS4120T引脚图
PBSS4120T封装图
PBSS4120T封装焊盘图
在线购买PBSS4120T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4120T | NXP 恩智浦 | NXP PBSS4120T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 1 A, 470 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBSS4120T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS4120T 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PBSS4120T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 1 A, 470 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS4120T,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 480mW | 功能相似 | NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | PBSS4120T和PBSS4120T,215的区别 |