PDTA114ET,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA114ET,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
PDTA114ET,215引脚图与封装图
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在线购买PDTA114ET,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA114ET,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTA114ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTA114ET,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA114ET,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 0.2W | 当前型号 | NXP PDTA114ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE | 当前型号 |
| 型号： PDTA114ET,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 PNP 200mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 50V 100mA | PDTA114ET,215和PDTA114ET,235的区别 |
| 型号： MUN2111T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 PNP -50V -100mA 338mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59 | PDTA114ET,215和MUN2111T1G的区别 |
| 型号： MMUN2111LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | PDTA114ET,215和MMUN2111LT1G的区别 |