PDTC115EMB
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTC115EMB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTC115EMB引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC115EMB | NXP 恩智浦 | NXP PDTC115EMB 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 20 mA, 80 hFE | 搜索库存 |