针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
长度 1.8 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-416
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PDTC114TE,115 | NXP 恩智浦 | NXP PDTC114TE,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PDTC114TE,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-416 NPN 0.15W | 当前型号 | NXP PDTC114TE,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 | |
型号: DTC114EET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-416 NPN 50V 70mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | PDTC114TE,115和DTC114EET1G的区别 | |
型号: DTC114EE 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT NPN | 功能相似 | 数字晶体管(内置电阻) Digital transistors built-in resistors | PDTC114TE,115和DTC114EE的区别 |