PDTC114EU
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTC114EU中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTC114EU引脚图与封装图 
PDTC114EU引脚图
PDTC114EU封装图
PDTC114EU封装焊盘图
在线购买PDTC114EU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC114EU | NXP 恩智浦 | NXP PDTC114EU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTC114EU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTC114EU 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-323 NPN 200mW | 当前型号 | NXP PDTC114EU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | 当前型号 |
| 型号： PDTC114EU,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-70 NPN 200mW | 完全替代 | NXP PDTC114EU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | PDTC114EU和PDTC114EU,115的区别 |
| 型号： MUN5211T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | PDTC114EU和MUN5211T1G的区别 |