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PDTD123YT
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PDTD123YT  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 500 mA, 70 hFE

The is a 2.2 to 10kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a surface-mount plastic package.

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Built-in bias resistors
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Reduces component count
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Simplifies circuit design
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Reduces pick and place costs
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±10% Resistor ratio tolerance
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PNP complement is PDTB123YT
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7X Marking code
PDTD123YT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PDTD123YT引脚图与封装图
PDTD123YT引脚图

PDTD123YT引脚图

PDTD123YT封装图

PDTD123YT封装图

PDTD123YT封装焊盘图

PDTD123YT封装焊盘图

在线购买PDTD123YT
型号 制造商 描述 购买
PDTD123YT NXP 恩智浦 NXP  PDTD123YT  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 500 mA, 70 hFE 搜索库存
替代型号PDTD123YT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTD123YT

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

当前型号

NXP  PDTD123YT  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 500 mA, 70 hFE

当前型号

型号: PDTD123TT,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236 NPN 250mW

完全替代

PDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 开路

PDTD123YT和PDTD123TT,215的区别

型号: PDTD123YT,215

品牌: 安世

封装:

类似代替

双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

PDTD123YT和PDTD123YT,215的区别

型号: PDTD123ET,215

品牌: 安世

封装:

类似代替

Nexperia PDTD123ET,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

PDTD123YT和PDTD123ET,215的区别