PHT8N06LT
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NXP
恩智浦
分立器件
PHT8N06LT中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 8.3 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, 消费电子产品, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHT8N06LT引脚图与封装图
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在线购买PHT8N06LT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHT8N06LT | NXP 恩智浦 | NXP PHT8N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 55 V, 80 mohm, 5 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号PHT8N06LT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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