PHT6NQ10T
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NXP
恩智浦
分立器件
PHT6NQ10T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 8.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 工业, 电源管理, 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHT6NQ10T引脚图与封装图 
PHT6NQ10T引脚图
PHT6NQ10T封装图
PHT6NQ10T封装焊盘图
在线购买PHT6NQ10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHT6NQ10T | NXP 恩智浦 | NXP PHT6NQ10T 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号PHT6NQ10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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