PHKD6N02LT
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NXP
恩智浦
分立器件
PHKD6N02LT中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 4.17 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 10.9A
封装参数
引脚数 8
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PHKD6N02LT引脚图与封装图
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在线购买PHKD6N02LT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHKD6N02LT | NXP 恩智浦 | 双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET | 搜索库存 |
替代型号PHKD6N02LT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHKD6N02LT 品牌： NXP 恩智浦 封装： SO N-CH 20V 10.9A | 当前型号 | 双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET | 当前型号 |
| 型号： PHKD6N02LT,518 品牌： 恩智浦 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 20V 10.9A | 功能相似 | 双 N 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | PHKD6N02LT和PHKD6N02LT,518的区别 |