PIC16C55-HSI/SO
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
主动器件
PIC16C55-HSI/SO中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 20.0MHz max
RAM大小 24 x 8
耗散功率 800 mW
I/O引脚数 20
存取时间 20.0 µs
内核架构 PIC
内核子架构 PIC16
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
PIC16C55-HSI/SO引脚图与封装图 
PIC16C55-HSI/SO引脚图
PIC16C55-HSI/SO封装图
PIC16C55-HSI/SO封装焊盘图
在线购买PIC16C55-HSI/SO
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PIC16C55-HSI/SO | Microchip 微芯 | PIC 20MHz 闪存：512K@x12bit | 搜索库存 |
替代型号PIC16C55-HSI/SO
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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