击穿电压 -40.0 V
针脚数 3
漏源极电阻 30 Ω
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 40 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 6pF @10VVgs
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBFJ111,215 | NXP 恩智浦 | PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管 40 V, 3引脚 TO-236AB封装 min. 20mA | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBFJ111,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 | 当前型号 | PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管 40 V, 3引脚 TO-236AB封装 min. 20mA | 当前型号 |
| 型号： MMBFJ201 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 40V 50mA 350mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ201 晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET | PMBFJ111,215和MMBFJ201的区别 |
| 型号： MMBF4117 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel 40V 50mA 225mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4117 晶体管, JFET, JFET, 40 V, 30 µA, 90 µA, 1.8 V, SOT-23, JFET | PMBFJ111,215和MMBF4117的区别 |
| 型号： MMBFJ202 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 40V 50mA 350mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ202. 晶体管, JFET, 40V, 3-SOT-23 | PMBFJ111,215和MMBFJ202的区别 |
