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PMBD6050,215

PMBD6050,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PMBD6050,215  二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

Diode Standard 70 V 215mA DC Surface Mount TO-236AB


得捷:
DIODE GEN PURP 70V 215MA TO236AB


欧时:
### 小信号开关二极管,NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。


艾睿:
Diode Switching 85V 0.215A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Diode Switching 85V 0.215A 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBD6050 Series 85 V 215 mA Surface Mount High-Speed Diode - SOT-23-3


Chip1Stop:
Diode Switching 85V 0.215A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Diode Switching 85V 0.215A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBD6050,215  Small Signal Diode, Switching, Single, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A


PMBD6050,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 1.25V @150mA

耗散功率 250 mW

热阻 500℃/W RθJA

反向恢复时间 4 ns

正向电流 215 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 215 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMBD6050,215引脚图与封装图
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在线购买PMBD6050,215
型号 制造商 描述 购买
PMBD6050,215 NXP 恩智浦 NXP  PMBD6050,215  二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A 搜索库存
替代型号PMBD6050,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMBD6050,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB

当前型号

NXP  PMBD6050,215  二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

当前型号

型号: PMBD6050,235

品牌: 恩智浦

封装: SOT23

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封装: SOT-323 100V 200mA

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