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PMEG3010EB,115

PMEG3010EB,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PMEG3010EB,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 680mV @1A

热阻 75℃/W RθJL

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 5 A

正向电压Max 680 mV

正向电流Max 1000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

封装 SOD-523

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMEG3010EB,115引脚图与封装图
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在线购买PMEG3010EB,115
型号 制造商 描述 购买
PMEG3010EB,115 NXP 恩智浦 NXP  PMEG3010EB,115  肖特基整流器, 单, 30 V, 1 A, SOD-523, 2 引脚, 680 mV 搜索库存
替代型号PMEG3010EB,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMEG3010EB,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOD-523

当前型号

NXP  PMEG3010EB,115  肖特基整流器, 单, 30 V, 1 A, SOD-523, 2 引脚, 680 mV

当前型号

型号: BAT54XV2T1G

品牌: 安森美

封装: SOD-523 30V 200mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

PMEG3010EB,115和BAT54XV2T1G的区别

型号: RB520S30T1G

品牌: 安森美

封装: SOD-523 30V 200mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C

PMEG3010EB,115和RB520S30T1G的区别

型号: RB521S30T1G

品牌: 安森美

封装: SOD-523 30V 200mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  RB521S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C

PMEG3010EB,115和RB521S30T1G的区别