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PMST3906,115

PMST3906,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PMST3906,115  单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFE

The is a 200mA PNP Switching Transistor in a very small surface-mount plastic package. It is suitable for use with the general amplification and switching.

.
NPN complement is PMST3904
.
2A Marking code

得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT323


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
PMST3906 系列 40 V 200 mA 表面贴装 PNP 开关 晶体管 - SC-70-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# NXP  PMST3906,115  Bipolar BJT Single Transistor, Switching, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFE


Win Source:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT323


DeviceMart:
TRANS PNP 40V 100MA SOT323


PMST3906,115中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 60 @0.1mA, 1V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 0.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMST3906,115引脚图与封装图
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在线购买PMST3906,115
型号 制造商 描述 购买
PMST3906,115 NXP 恩智浦 NXP  PMST3906,115  单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFE 搜索库存
替代型号PMST3906,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMST3906,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-323 PNP 0.2W

当前型号

NXP  PMST3906,115  单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFE

当前型号

型号: PMST3906,135

品牌: 恩智浦

封装: SOT323 PNP 200mW

类似代替

SC-70 PNP 40V 0.2A

PMST3906,115和PMST3906,135的区别

型号: MMBT3906WT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -40V -200mA 150mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906WT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 200 mA, 250 hFE

PMST3906,115和MMBT3906WT1G的区别

型号: MMBT3906TT1G

品牌: 安森美

封装: SC-75 PNP -40V -200mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906TT1G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 30 hFE

PMST3906,115和MMBT3906TT1G的区别