PMR400UN,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMR400UN,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 530 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 800 mA
输入电容Ciss 43pF @25VVds
额定功率Max 530 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 530mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
外形尺寸
宽度 0.9 mm
封装 SOT-416-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMR400UN,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMR400UN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMR400UN,115 | NXP 恩智浦 | NXP PMR400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV | 搜索库存 |
替代型号PMR400UN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMR400UN,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-416 N-Channel 30V 800mA | 当前型号 | NXP PMR400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV | 当前型号 |
| 型号： DMN100-7-F 品牌： 美台 封装： SC-59-3 N-Channel 30V 1.1A | 功能相似 | DMN100-7-F 编带 | PMR400UN,115和DMN100-7-F的区别 |
| 型号： PMZ390UN,315 品牌： 恩智浦 封装： SOT-883 N-Channel 30V 1.78A | 功能相似 | NXP PMZ390UN,315 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV | PMR400UN,115和PMZ390UN,315的区别 |
| 型号： DMN100-7 品牌： 美台 封装： SC-59 N-CH 30V 1.1A | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | PMR400UN,115和DMN100-7的区别 |