PMZ250UN,315
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMZ250UN,315中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.28 A
输入电容Ciss 45pF @20VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
长度 1.02 mm
宽度 0.62 mm
高度 0.47 mm
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMZ250UN,315引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMZ250UN,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMZ250UN,315 | NXP 恩智浦 | NXP PMZ250UN,315 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 700 mV | 搜索库存 |
替代型号PMZ250UN,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMZ250UN,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-883 N-Channel 20V 2.28A | 当前型号 | NXP PMZ250UN,315 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 700 mV | 当前型号 |
| 型号： PMZ250UN 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | PMZ250UN,315和PMZ250UN的区别 |