频率 300 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 260 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 60 @0.1mA, 1V
额定功率Max 590 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 590 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883-3
宽度 0.62 mm
封装 SOT-883-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMBT3904M,315 | NXP 恩智浦 | NXP PMBT3904M,315 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 260 mW, 200 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMBT3904M,315 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-883 NPN 590mW | 当前型号 | NXP PMBT3904M,315 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 260 mW, 200 mA, 100 hFE | 当前型号 | |
型号: BZV55-C56 品牌: 恩智浦 封装: SOD-80C | 功能相似 | NXP BZV55-C56 单管二极管 齐纳, 56 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C | PMBT3904M,315和BZV55-C56的区别 |