PESD3V3V4UW,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
电容 18 pF
钳位电压 11 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 16 W
最小反向击穿电压 5.3 V
击穿电压 5.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-665
高度 0.6 mm
封装 SOT-665
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PESD3V3V4UW,115 | NXP 恩智浦 | PESD3V3V4UW 系列 5.6 V 15 pF 四通道 ESD 保护 二极管 - SOT 665 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PESD3V3V4UW,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-665 | 当前型号 | PESD3V3V4UW 系列 5.6 V 15 pF 四通道 ESD 保护 二极管 - SOT 665 | 当前型号 | |
型号: PESD3V3V4UW 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | 非常低的电容单向四联ESD保护二极管阵列 Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays | PESD3V3V4UW,115和PESD3V3V4UW的区别 |