锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PESD3V3V4UW,115

PESD3V3V4UW,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PESD3V3V4UW,115中文资料参数规格
技术参数

电容 18 pF

钳位电压 11 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 16 W

最小反向击穿电压 5.3 V

击穿电压 5.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-665

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-665

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PESD3V3V4UW,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PESD3V3V4UW,115
型号 制造商 描述 购买
PESD3V3V4UW,115 NXP 恩智浦 PESD3V3V4UW 系列 5.6 V 15 pF 四通道 ESD 保护 二极管 - SOT 665 搜索库存
替代型号PESD3V3V4UW,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PESD3V3V4UW,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-665

当前型号

PESD3V3V4UW 系列 5.6 V 15 pF 四通道 ESD 保护 二极管 - SOT 665

当前型号

型号: PESD3V3V4UW

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

非常低的电容单向四联ESD保护二极管阵列 Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays

PESD3V3V4UW,115和PESD3V3V4UW的区别