PESD15VS2UQ,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD15VS2UQ,115中文资料参数规格
技术参数
电容 70 pF
钳位电压 40 V
测试电流 5 mA
脉冲峰值功率 150 W
最小反向击穿电压 17.6 V
击穿电压 17.6 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-663
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-663
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PESD15VS2UQ,115引脚图与封装图
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在线购买PESD15VS2UQ,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD15VS2UQ,115 | NXP 恩智浦 | ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP ### 瞬态电压抑制器，NXP | 搜索库存 |
替代型号PESD15VS2UQ,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD15VS2UQ,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT663 | 当前型号 | ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP### 瞬态电压抑制器，NXP | 当前型号 |
| 型号： PESD15VS2UQ 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode | PESD15VS2UQ,115和PESD15VS2UQ的区别 |