PESD3V3L4UF,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD3V3L4UF,115中文资料参数规格
技术参数
电容 28 pF
击穿电压 5.6 V
电路数 4
通道数 4
钳位电压 12 V
脉冲峰值功率 30 W
最小反向击穿电压 5.32 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFDFN-6
外形尺寸
长度 1.5 mm
宽度 1.05 mm
高度 0.46 mm
封装 XFDFN-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PESD3V3L4UF,115引脚图与封装图
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在线购买PESD3V3L4UF,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD3V3L4UF,115 | NXP 恩智浦 | PESDxL4UF 系列 8 V 28 pF 低电容 ESD 保护 二极管阵列 - SOT-886 | 搜索库存 |
替代型号PESD3V3L4UF,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD3V3L4UF,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： XSON | 当前型号 | PESDxL4UF 系列 8 V 28 pF 低电容 ESD 保护 二极管阵列 - SOT-886 | 当前型号 |
| 型号： PESD3V3V4UF,115 品牌： 恩智浦 封装： 6-XFDFN | 类似代替 | ESD Suppressor Diode Arrays 10kV 6Pin XSON T/R | PESD3V3L4UF,115和PESD3V3V4UF,115的区别 |
| 型号： PESD3V3V4UF 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 非常低的电容单向四联ESD保护二极管阵列 Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays | PESD3V3L4UF,115和PESD3V3V4UF的区别 |