OPB881N51Z中文资料参数规格
技术参数
峰值波长 890 nm
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
引脚数 4
封装 Pre-Wired
外形尺寸
封装 Pre-Wired
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
OPB881N51Z引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| OPB881N51Z | TT Electronics/Optek Technology | Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4Pin | 搜索库存 |