OPB871P55TXV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
下降时间Max 20000 ns
上升时间Max 20000 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 Pre-Wired
外形尺寸
高度 11.05 mm
封装 Pre-Wired
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
OPB871P55TXV引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| OPB871P55TXV | TT Electronics/Optek Technology | Photointerrupter Transmissive 3.175mm Phototransistor 4Pin | 搜索库存 |