OP803TXV中文资料参数规格
技术参数
波长 890 nm
视角 24°
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-206
外形尺寸
高度 6.86 mm
封装 TO-206
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
OP803TXV引脚图与封装图
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在线购买OP803TXV
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| OP803TXV | TT Electronics/Optek Technology | Phototransistor IR Chip Silicon 3Pin TO-18 | 搜索库存 |
替代型号OP803TXV
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： OP803TXV 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： | 当前型号 | Phototransistor IR Chip Silicon 3Pin TO-18 | 当前型号 |
| 型号： 61058-102 品牌： Micropac 封装： | 功能相似 | Photo Transistor, 0.05A IC, HERMETIC SEALED, TO-46, 3Pin | OP803TXV和61058-102的区别 |